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Model 800E紫外掩膜光刻机

更新时间:2022-09-01

访问量:214

厂商性质:代理商

生产地址:美国

简要描述:
Model 800E紫外掩膜光刻机:
(1)多种光谱范围可供选择:汞灯:G(436nm)、H(405nm)、I(365nm)和310nm线,Hg-Xe灯:260nm和220nm。
(2)适用基片尺寸范围:4英寸~ 12英寸直径晶圆片;
(3)紫外灯功率范围:200~2000W;
品牌其他品牌产地类别进口
应用领域生物产业,能源,电子,航天,电气曝光精度0.6μm
适用基片厚度6000μm适用基片尺寸4至12英寸直径晶圆

一、美国OAI公司介绍:

OAI是一家位于美国硅谷的先进精密设备制造商,有着40多年的研发、制造经验。该公司生产的产品用于 MEMS、半导体、纳米技术、微流体、MicroTAS、平板和光伏/太阳能行业。 并提供广泛的经过现场验证的产品组合,包括:掩模对准器、UV 曝光系统、UV 光源、纳米压印模块、晶圆键合机、UV 臭氧表面处理系统、边缘珠曝光系统、晶圆分选机、太阳能模拟器 & IV 测试系统和众多定制设计的解决方案。 这些产品有着良好的性能、高度的多功能性和出色的可靠性,在全球的市场中赢得了客户的青睐。


二、Model 800E紫外掩膜光刻机产品特点:

(1)多种光谱范围可供选择:汞灯:G(436nm)、H(405nm)、I(365nm)和310nm线,Hg-Xe灯:260nm和220nm。

(2)适用基片尺寸范围:4英寸~ 12英寸直径晶圆片;

(3)紫外灯功率范围:200~2000W;

(4)使用上下双CCD Gigi相机和电动X-Y-Z-Theta平台进行手动对准,带操纵杆/配方操作。

(5)通过 Cognex 软件升级升级到 Auto Alignment。

(6)自动楔补偿和带编码器的电动z轴和3点调平升级选项;

(7)红外光学背面对齐选择升级;

(8)使用1TB电脑进行PC操作和配方存储;

(9)接近(20um):<3.0um,软接触:<2.0um,硬接触:1um,真空接触:≤0.6um。

(10)提供0.5-1um的正反面曝光和对位精度。

(11)可用于半自动化/研发和小批量生产模式。

(12)适用于生物、MEMS、半导体、微流体、纳米压印和CLiPP工艺。



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三、OAI的Model 800E紫外掩膜光刻机与 Suss 的 Model MA6光刻机参数对比:

OAI 800E与SUSS MA6优势对比.png

















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