更新时间:2023-09-04
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厂商性质:代理商
生产地址:德国
mr-I 7000E系
纳米压印光刻胶
Tg = 60℃优异的成膜质量由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间压印温度125 - 150℃,压印压力20 - 50 barPlasma刻蚀阻抗性能优于PMMA可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
Tg = 115℃优异的成膜质量由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间压印温度170 - 190℃,压印压力20 - 50 barPlasma刻蚀阻抗性能优于PMMA可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
mr-I PMMA
35k/75系列
Tg = 105℃优异的成膜质量低分子量从而实现高效的流动性压印温度150 - 180℃,压印压力50 bar可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
Tg = 85℃优异的成膜质量压印温度140 - 170℃,压印压力大于5 barPlasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率,高化学稳定性可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
热固化之前Tg = 35℃优异的成膜质量接近等温加工处理n 压印温度120℃n 脱模温度100℃压印时温度从Tg到Tg,Cured增加并固化非常低的残余胶层厚度低至5 nmPlasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
接近等温加工处理
n 压印温度120℃
n 脱模温度100℃
压印时温度从Tg到Tg,Cured增加并固化
非常低的残余胶层厚度低至5 nm
Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶
可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)
光化学固化之前Tg = 40℃优质的固体光胶薄膜接近等温加工处理:压印、紫外曝光固化,压印与脱模在同一温度下进行非常低的残余胶层厚度低至10 nm图案转移时高保真度Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶可获得优于50 nm的分辨率(取决于模版分辨率)宽带或i线曝光
宽带或i线曝光
mr-UVCur06
旋涂使用优质的成膜质量和胶厚均一性室温加工处理由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间低剂量紫外曝光快速固化可获得优于30 nm的分辨率(取决于模版分辨率)Plasma刻蚀高阻抗性能O2 Plasma刻蚀可无残余去除宽带或i线曝光
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