快速热处理退火炉

一、RTP快速热处理退火炉简介

快速热处理（RTP）是将晶片快速加热到设定温度，进行短时间快速热处理的方法。

RTP系统采用辐射热源对晶片进行一片一片的加热，温度测量和控制通过高温计完成热处理时间通常小于1~2分钟，可用于氧化、退火、金属硅化物的形成和快速热化学沉积，RTP系统中，热源直接面对晶片表面，因此在处理大直径晶片时不会影响工艺处理的均匀性和升（降）温速度。RTP系统还有晶片旋转功能使热处理均匀性更佳。RTP已逐渐成为先进半导体制造常见的一项工艺。

二、RTP500V真空快速热处理退火炉技术参数：

（1）温度范围：100 – 1300 ℃

（2）升温速率：2 – 220 ℃/秒可调

（3）密封石英腔内面尺寸：215 X 140X 14 毫米；

（4）样品最大尺寸：4英寸

（5）计算机控制系统：PC 机控制；

（6）软件：快速热处理编程控制软件RTP-500的控制软件；

（7）程序：①可编程温度曲线存储1500 条以上；

                  ②每条曲线包括100段以上, 温度设定范围 25—1300℃ ；

                  ③每段时间设定范围1—30000 秒；

                  ④数据可导出为文本文件便于数据处理，自动优化温控；

（8）温度设定范围：100-1300℃

（9）温度重复性：±1℃，6区控温；

（10）测温精确度：100-1300全温度段精度>0.5%

（11）测温装置：K型热电偶；

（12）温度曲线：自动记录，保存，文本格式转换，支持彩色分页打印；

（13）真空系统：一路MFC流量控制，极限真空度0.1Pa,德国THERMOVAC真空测量仪；

（14）1000℃连续工作时间：双闭环温度控制,  稳态温度稳定性±2℃ ,1000℃连续工作>1小时；

（15）光源：1.25KW X 13 卤钨灯

（16）电源：380 V  40A 三相 四线(三火线, 零线)，50/60Hz；

（17）冷却装置：自来水或循环水, 水压 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分

（18）冷却方式：水冷、风冷、气冷；

（19）安全装置：过温报警，过热报警，过热自动保护，水压报警，水压异常自动保护；