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一、RTP快速热处理退火炉简介
快速热处理(RTP)是将晶片快速加热到设定温度,进行短时间快速热处理的方法。
RTP系统采用辐射热源对晶片进行一片一片的加热,温度测量和控制通过高温计完成热处理时间通常小于1~2分钟,可用于氧化、退火、金属硅化物的形成和快速热化学沉积,RTP系统中,热源直接面对晶片表面,因此在处理大直径晶片时不会影响工艺处理的均匀性和升(降)温速度。RTP系统还有晶片旋转功能使热处理均匀性更佳。RTP已逐渐成为先进半导体制造常见的一项工艺。
二、RTP500V真空快速热处理退火炉技术参数:
(1)温度范围:100 – 1300 ℃
(2)升温速率:2 – 220 ℃/秒可调
(3)密封石英腔内面尺寸:215 X 140X 14 毫米;
(4)样品最大尺寸:4英寸
(5)计算机控制系统:PC 机控制;
(6)软件:快速热处理编程控制软件RTP-500的控制软件;
(7)程序:①可编程温度曲线存储1500 条以上;
②每条曲线包括100段以上, 温度设定范围 25—1300℃ ;
③每段时间设定范围1—30000 秒;
④数据可导出为文本文件便于数据处理,自动优化温控;
(8)温度设定范围:100-1300℃
(9)温度重复性:±1℃,6区控温;
(10)测温精确度:100-1300全温度段精度>0.5%
(11)测温装置:K型热电偶;
(12)温度曲线:自动记录,保存,文本格式转换,支持彩色分页打印;
(13)真空系统:一路MFC流量控制,极限真空度0.1Pa,德国THERMOVAC真空测量仪;
(14)1000℃连续工作时间:双闭环温度控制, 稳态温度稳定性±2℃ ,1000℃连续工作>1小时;
(15)光源:1.25KW X 13 卤钨灯
(16)电源:380 V 40A 三相 四线(三火线, 零线),50/60Hz;
(17)冷却装置:自来水或循环水, 水压 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分
(18)冷却方式:水冷、风冷、气冷;
(19)安全装置:过温报警,过热报警,过热自动保护,水压报警,水压异常自动保护;
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