| 品牌 | 其他品牌 | 供货周期 | 两周 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,电子,航天,汽车,综合 |
Futurrex负性光刻胶：分为粘性增强负性光刻胶、高级加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。
A、粘性增强负性光刻胶
粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异成二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide) 的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时非常强的粘附力很容易用光胶剥离器去除，厚度范围是<0.1 ~ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长曝光。
粘性增强负胶对生产量的影响，消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影，100 m的光胶显影仅需6~8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。
i线曝光用粘度增强负胶系列: NP9-250P、NP9-1000P、NP9-1500P、NP9-3000P、NP9-6000P、NP9-8000、NP-8000P、NP9-20000P.
g和h线曝光用粘度增强负胶系列: NP9G-250P、NP9G-1000P、NP9G-1500P、NP9G-3000P、NP9G-6000P、NP9G-8000.
B、高级加工负性光刻胶
高级加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。高级加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗，厚度范围是< 0.1 ~ 120.0 μm，可在i、g以及h-line波长曝光。优异的温度阻抗直至180℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量；非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。
用于线曝光的高级加工负胶系列: NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000.
Futurrex负性光刻胶： | |
抗蚀刻负性光刻胶 | |
厚度范围 | 0.5~200μm |
特点 | （1）无需使用增粘剂 （2）优良的分辨率 （3）曝光时间短 （4）显影时间少 （5）可以耐180度高温 （6）在离子蚀刻制程中有着良好的选择性 （7）用RR41易于去胶 （8）常温下可保存3年 |
应用 | （1）离子刻蚀 （2）高温离子注入 |
厚膜负性光刻胶 | |
厚度范围 | 8~200μm |
特点 | （1）优良的分辨率 （2）烘培时间短 （3）曝光速率快 （4）显影影时间短 （5）粘附性好 （6）用RR41易于去胶 （7）常温下可保存3年 |
应用 | （1）金属电镀工艺 （2）凸块倒装芯片封装 （3）多级集成电路单元微系统 （4）感光芯片 （5）厚膜磁头 （6）深沟平坦化 |
Lift-off用负性光刻胶 | |
厚度范围 | 0.5~40μm |
特点 | （1）良好的分辨率 （2）烘培时间短 （3）通过曝光能量易于调整侧壁的角度 （4）显影时间短 （5）可以耐200℃高温 （6）在离子蚀刻制程中有着良好的选择性 （7）用RR41易于去胶 （8）常温下可保存3年 |
应用 | （1）Lift-off工艺制程 （2）发光二极管 （3）砷化稼集成电路 （4）铁电存储器 （5）平板显示 （6）微系统 （7）感光芯片 （8）生物芯片 |
▲Negative Etch Resists
▲Thick Negative Resists
▲Negative Lift-Off Resists
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