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湿法刻蚀处理系统

更新时间:2022-09-01

访问量:1098

厂商性质:代理商

生产地址:德国

简要描述:
湿法刻蚀处理系统又称自动显影系统、自动刻蚀系统、自动去离子水清洗系统、显影刻蚀系统、匀胶显影机、自动刻蚀机、显影刻蚀机、显影台、湿法刻蚀台、显影刻蚀台等。POLOS Advanced系列湿法处理系统可实现涂胶、刻蚀、显影、清洗等多种工艺,适用于半导体、化工材料、硅片、导电玻璃等制版的表面显影。
品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,生物产业,能源,电子,航天

一、POLOS Advanced系列湿法刻蚀处理系统产品介绍

我们的POLOS Advanced系列湿法处理系统涵盖了广泛的工艺应用。与我们的超声MegPie和特殊的Lift-Off液结合使用,可进一步用于光阻剥离和金属剥离。此外,也可与去离子水(DiO3)中的臭氧一起使用,为Piranha ( H2SO4  H2O2)清洗提供有效的替代。

武汉月忆_匀胶显影工艺.png

Coating - Etching- Developing - Cleaning

1、Coating


(1)POLOS Advanced系列湿法处理系统适用于所有典型的旋涂工艺,该系统在特殊应用可选用高耐化学性 PTFE (TFM™)作为旋涂腔体。旋涂是制造纳米聚合物薄膜(PDMS、嵌段聚合体等)技术之一。可编程旋转速度内的加速度是很重的,因为它控制了从一个给定的溶液中可以获得的厚度。旋涂可以相对容易地从1000转以上的转速产生均匀的薄膜。

(2)POLOS Advanced系列湿法处理系统的优势在于其所采用的马达为高性能无刷电机,12,000转/分钟的旋转速度和高达30,000转/秒*的旋转加速度,使其能够快速生产从几纳米到几微米厚的均匀薄膜。

(3)POLOS Advanced系列湿法处理系统控制电机模式的旋转(顺时针/逆时针),结合可选的多达6个自动分配器,能够实现多层薄膜的均匀沉积和光阻显影。这些特点支持用全自动和高度可重复的程序配方来快速优化工艺。



2、Etching

晶圆减薄(背面研磨)的旋涂蚀刻作为晶圆减薄的后处理方法被用于集成电路和MEMS的制造,以便于:

(1)实现理想的器件厚度(IC、MEMS);

(2)确保基于器件功能的特定厚度(MEMS);

(3)减少垂直器件(功率器件)的基材串联电阻;


德国Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced湿法处理系统上用HNO3 / HF / CH3COOH进行旋涂蚀刻的研究证明,湿法蚀刻,作为旋涂蚀刻的执行,可以去除10微米的硅。此外,它几乎完全消除了研磨引起的基材损伤的所有痕迹。该平台提供了一个相对简单且价格合理的工艺设置。该工艺比CMP快得多,它提供了一个较高的蚀刻率,并且能够直接处理背面研磨的晶圆,而不需要额外的清洗。


该平台的标准特点:image.png

①适用于100毫米、150毫米和200毫米晶圆的工艺;

②适用于多种化学品;

③KOH

HNO3 / HF / CH3COOH (HNA)

⑤晶圆片连续旋转;

⑥Puddle模式

⑦分注位置可固定

⑧在特定距离(晶圆直径)上的振荡运转模式

⑨喷雾式点胶  

⑩冲洗式点胶

资料来源:Fraunhofer ENAS-Dr. Knut Gottfried, Precise Bulk Silicon Wet Etching 2013 Fraunhofer ENAS-Knut Gottfried博士,精确批量硅湿法蚀刻 2013年。


3、Post-CMP Cleaning

在CMP之后,表面可能会被浆料的残留物高度污染。在用含有50nm胶体二氧化硅颗粒的浆料抛光的3''硅片上进行的测试表明,使用POLOS Advanced与ZTop MegPie兆声波换能器在1MHz左右工作,结合稀释的NH4OH,可以产生很好的清洁效果。

高度稀释(2%)的NH4OH用于增强颗粒和表面之间的静电排斥力(控制Zeta电位),以避免重新沉积和重新附着。

image.png


我们的测试案例将POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 湿法处理系统内。这个MegPie套件允许你在150毫米和200毫米的有效尺寸之间进行选择,并可选择蓝宝石或不锈钢ZTop MegPie。

POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的软件中,允许伺服控制MegPie的定位和控制前进功率。它还监测反射功率,并控制温度警报。与基体的距离由一个超声波传感器监测。

<strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong><strong>湿法刻蚀处理系统</strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong></strong>.png


二、POLOS Advanced系列湿法刻蚀处理系统技术参数


匀胶显影机

型号

POLOS 200 Advanced

POLOS 300 Advanced

POLOS 450 Advanced

基片范围

φ260mm圆片

6ʺx6ʺ方片

φ360mm圆片

8ʺx8ʺ方片

φ460mm圆片

350mmx350mm方片

程序段数

无限制*

无限制*

无限制*

操作步数

无限制*

无限制*

无限制*

旋转速度

0-12,000 rpm

0-12,000 rpm

0-1500rpm

旋转精度

±0.1 rpm

±0.1 rpm

±0.1 rpm

旋转方向

顺时针、逆时针、puddle

顺时针、逆时针、puddle

顺时针、逆时针、puddle

旋转加速度

≤30,000 rpm/sec

≤30,000 rpm/sec

≤1500rpm时取决于负载

腔体材质

NPPPTFE

NPPPTFE

NPPPTFE

腔体直径

302 mm

402 mm

502 mm

外形尺寸

380 x 307 x 559mm

430 x 310 x 650mm

795 x 638 x 922mm

触屏控制

全彩触屏控制

全彩触屏控制

全彩触屏控制

设备重量

20Kg

32Kg

75Kg

电源参数

220V,50/60 Hz

220V,50/60 Hz

220V,50/60 Hz


三、可选配项

匀胶显影机




















 

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