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紫外负性光刻胶

更新时间:2022-09-01

访问量:236

厂商性质:代理商

生产地址:国外

简要描述:
紫外负性光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
品牌其他品牌供货周期一周
应用领域环保,化工,能源,电子,航天


紫外负性光刻胶 - 湿法工艺

品牌
产地型号曝光应用特性对生产量的影响
Futurrex美国 NP9–250Pi线曝光用粘度增强负胶系列

在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide)的负胶。



在湿刻和电镀应用时很强的粘附力;很容易用去胶液去除。    


单次旋涂厚度范围如下:﹤0.1~200 μm可在i、g以及h-line波长曝光


避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁;

单次旋涂即可获得200 μm胶厚

厚胶同样可得到优越的分辨率

150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间;

优异的感光度进而增加曝光通量

更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡

可将一种显影液同时应用于负胶和正胶;

不必使用增粘剂如HMDS



NP9–1000P
NP9–1500P
NP9–3000P
NP9–6000P
NP9–8000
NP9–8000P
NP9–20000P
NP9G–250Pg和h线曝光用粘度增强负胶系列
NP9G–1000P
NP9G–1500P
NP9G–3000P
NP9G–6000P
NP9G–8000
Micro Resist德国ma-N 400宽带或i线曝光0.5 ~ 20 μm胶厚


非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中*的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

品牌
产地型号甩胶范围应用
GES瑞士GM10100.2 - 0.8 μm

可用于甩胶和喷涂

GM10400.8 - 10 µm可用于甩胶、喷涂和喷墨打印
GM10503 - 8 µm可用于甩胶和喷墨打印
GM106010 - 50 µm可用于甩胶和喷墨打印
GM107050 - 250 µm可用于甩胶和喷墨打印
GM1075250 - 350 µm可用于甩胶和喷墨打印

紫外负性光刻胶 - 干刻工艺

品牌产地型号曝光 应用特性优于正胶的优势
Futurrex美国 NR71-250Pi线曝光的高级

加工负胶系列



替代用

于RIE

加工及

离子植

入的正胶

    在RIE加工时优异

的选择性以及在离

子注入时优异的高

温耐受能力


    厚度范围:﹤0.1~

200μm

可在i、g以及h-line

波长曝光

控制表面形貌的优异线宽

任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁

单次旋涂即可获得200 μm胶厚

厚胶同样可得到优越的分辨率

150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间

优异的感光度进而增加曝光通量

更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟

光刻胶曝光时不会出现气泡

可将一种显影液同时应用于负胶和正胶

优异的温度阻抗直至180 ℃

在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量

非常容易进行高能量离子注入

不必使用增粘剂如HMDS


NR71-350P
NR71-1000P
NR71-1500P
NR71-3000P
NR71-6000P
NR5-8000
NR71G-250Pg和h线曝光的高

级加工负胶系列

NR71G-350P
NR71G-1000P
NR71G-1500P
NR71G-3000P
NR71G-6000P
NR5G-8000
Micro Resist德国ma-N1400宽带或

i线曝光

0.5~ 20μm胶厚

   

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中*的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;


UV负性光刻胶 - lift-off工艺

品牌
产地型号厚度
曝光应用加工特性
Futurrex美国 NR71-1000PY0.7μm~2.1μm高温耐受用于i线曝光的负胶

   LED、OLED、

   显示器、

   MEMS、

   封装、

   生物芯片等

   金属和介电

质上图案化,

不必使用RIE

加工器件的yong

久性组成

(OLED显示

器上的间隔

区)凸点、

互连、空中

连接微通道


   显影时形成光刻胶倒

梯形结构


   厚度范围:

0.5~20.0 μm


   i、g和h线曝光波长

曝光


   对生产效率的影响:
   金属和介电质图案化

时省去干法刻蚀加工


   不需要双层胶技术
NR71-1500PY 1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY2.8μm~6.3μm
NR71-6000PY5.7μm~12.2μm
NR9-100PY0.7μm~2.1μm粘度增强
NR9-1500PY1.3μm~3.1μm
NR9-3000PY2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY5.7μm~12.2μm
NR71G-1000PY0.7μm~2.1μm高温耐受 负胶对  g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY1.3μm~3.1μm
NR71G-3000PY2.8μm~6.3μm
NR71G-6000PY5.7μm~12.2μm
NR9G-100PY0.7μm~2.1μm粘度增强
NR9G-1500PY1.3μm~3.1μm
NR9G-3000PY2.8μm~6.3μm
NR9G-6000PY5.7μm~12.2μm
Micro Resist德国ma-N 400宽带或

i线曝光

0.5~20μm胶厚


非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中*的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

ma-N 1400
品牌
产地型号甩胶范围应用
GES瑞士GM10100.2 - 0.8 μm可用于甩胶和喷涂
GM10400.8 - 10 µm可用于甩胶、喷涂和喷墨打印
GM10503 - 8 µm可用于甩胶和喷墨打印
GM106010 - 50 µm可用于甩胶和喷墨打印
GM107050 - 250 µm可用于甩胶和喷墨打印
GM1075250 - 350 µm可用于甩胶和喷墨打印

  注:如在产品介绍中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息,敬请联系我们!



















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