紫外负性光刻胶

在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮（Polyioprene-Bisazide）的负胶。

在湿刻和电镀应用时很强的粘附力；很容易用去胶液去除。    

单次旋涂厚度范围如下：﹤0.1～200 μm可在i、g以及h-line波长曝光

避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁；

单次旋涂即可获得200 μm胶厚

厚胶同样可得到优越的分辨率

150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间；

优异的感光度进而增加曝光通量

更快的显影，100 μm的光刻胶显影仅需6 ～ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡

可将一种显影液同时应用于负胶和正胶；

不必使用增粘剂如HMDS

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能；优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力；优异的电镀性能（酸和碱性镀液中*的稳定性）；光刻胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；

可用于甩胶和喷涂

控制表面形貌的优异线宽

任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁

单次旋涂即可获得200 μm胶厚

厚胶同样可得到优越的分辨率

150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间

优异的感光度进而增加曝光通量

更快的显影，100 μm的光刻胶显影仅需6 ～ 8分钟

光刻胶曝光时不会出现气泡

可将一种显影液同时应用于负胶和正胶

优异的温度阻抗直至180 ℃

在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度，从而提高刻蚀速度和刻蚀通量

非常容易进行高能量离子注入

不必使用增粘剂如HMDS

   

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能；优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力；优异的电镀性能（酸和碱性镀液中*的稳定性）；光刻胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；

   LED、OLED、

   显示器、

   MEMS、

   封装、

   生物芯片等

非常适合作为刻蚀掩模的抗干刻、湿刻性能；优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力；优异的电镀性能（酸和碱性镀液中*的稳定性）；光刻胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；